レーザーEXPO B-44
パワーレーザーDXプラットフォームは、文部科学省先端研究基盤共用促進事業によるパワーレーザー研究施設のネットワークです。国内有数の研究施設でDXを進めることで、すべての研究者が高度な利用支援を受けることができます。現在、下記の5つの実施機関のパワーレーザー施設が利用できます。
レーザー科学研究所(阪大)
関西光科学研究所(QST)
放射光科学研究センター(理研)
物性研究所(東大)
化学研究所(京大)
大阪大学レーザー科学研究所
[激光XII号 GXII Laser] 12本のパワーレーザーシステムで、国内随一の大型レーザー実験装置。3-12kJ / 1.5 ns / 351, 527, 1053nm
[LFEX Laser] 超短パルスのペタワット・パワーレーザー。レーザー爆縮プラズマの高速点火実験など。1.4 kJ / 1.5 ps / 1053 nm
量子科学技術研究開発機構 関西光科学研究所
[J-KAREN-P レーザー] 世界トップクラスの極短パルス・パワーレーザー。レーザーエネルギー・パルスを30 フェムト秒に圧縮することによりペタワット(1000兆ワット)の超高強度を実現。
理化学研究所 放射光科学研究センター
[HERMES] ハイパワーナノ秒レーザー装置。X線自由電子レーザー施設SACLAと同時に利用できる実験基盤。15 J / 5 ns / 532 nm
[SACLA] X線自由電子レーザー施設 600 µJ / 10 fs / 0.06-0.3 nm
京都大学 化学研究所
[T6 Laser] チャープパルス増幅チタンサファイヤレーザー
500 mJ / 40 fs / 800 nm
[複合レーザービーム装置] 1 mJ / 40 fs / 800 nm & 400 nm
東京大学物性研究所とTACMIコンソーシアムが運用するレーザー加工プラットフォームで各種レーザー加工機が利用できる。
・パルス幅可変レーザー加工装置 100 W / 400 fs~400 ps / 1033 nm
・266 nm50 Wピコ秒レーザー加工装置 50 W / 13 ps / 266 nm
・ハイブリッドArFレーザー試験加工機 10 W / 0.5 ns / 193 nm
・高輝度高出力青色半導体レーザー加工装置 200 W / CW / 450 nm
・GaN系半導体レーザー加工装置 130 W / CW / 410 nm帯
・レーザー加熱加工装置 2.5 kW / 4 ms~CW / 940 nm
パワーレーザーDXプラットフォームは、文部科学省先端研究基盤共用促進事業によるパワーレーザー研究施設のネットワークです。国内有数の研究施設でDXを進めることで、すべての研究者が高度な利用支援を受けることができます。現在、下記の5つの実施機関のパワーレーザー施設が利用できます。
レーザー科学研究所(阪大)
関西光科学研究所(QST)
放射光科学研究センター(理研)
物性研究所(東大)
化学研究所(京大)
大阪大学レーザー科学研究所
[激光XII号 GXII Laser] 12本のパワーレーザーシステムで、国内随一の大型レーザー実験装置。3-12kJ / 1.5 ns / 351, 527, 1053nm
[LFEX Laser] 超短パルスのペタワット・パワーレーザー。レーザー爆縮プラズマの高速点火実験など。1.4 kJ / 1.5 ps / 1053 nm
量子科学技術研究開発機構 関西光科学研究所
[J-KAREN-P レーザー] 世界トップクラスの極短パルス・パワーレーザー。レーザーエネルギー・パルスを30 フェムト秒に圧縮することによりペタワット(1000兆ワット)の超高強度を実現。
理化学研究所 放射光科学研究センター
[HERMES] ハイパワーナノ秒レーザー装置。X線自由電子レーザー施設SACLAと同時に利用できる実験基盤。15 J / 5 ns / 532 nm
[SACLA] X線自由電子レーザー施設 600 µJ / 10 fs / 0.06-0.3 nm
京都大学 化学研究所
[T6 Laser] チャープパルス増幅チタンサファイヤレーザー
500 mJ / 40 fs / 800 nm
[複合レーザービーム装置] 1 mJ / 40 fs / 800 nm & 400 nm
東京大学物性研究所とTACMIコンソーシアムが運用するレーザー加工プラットフォームで各種レーザー加工機が利用できる。
・パルス幅可変レーザー加工装置 100 W / 400 fs~400 ps / 1033 nm
・266 nm50 Wピコ秒レーザー加工装置 50 W / 13 ps / 266 nm
・ハイブリッドArFレーザー試験加工機 10 W / 0.5 ns / 193 nm
・高輝度高出力青色半導体レーザー加工装置 200 W / CW / 450 nm
・GaN系半導体レーザー加工装置 130 W / CW / 410 nm帯
・レーザー加熱加工装置 2.5 kW / 4 ms~CW / 940 nm