「割れやすく、汚れやすい」ガラスの加工

割れやすく汚れやすいガラスを 厚みを問わず加工可能です。
ガラスは、「割れやすく、汚れやすい」素材で、セラミックス同様に加工が難しいといわれています。
当社は、石英や水晶、その他ガラス加工を得意とし、ガラスの加工、ガラスパイプや貼り合わせガラスの加工、クリーンな状態での納品など、お客様の多種多様なご要望に対して細やか、かつスピーディーにご対応させていただきます。

「硬くて脆い素材」セラミックスの加工

セラミックスは、「硬くて脆い素材」の代表的な難素材。素材としては、強度や耐熱性能に優れ、耐食性が高く、半導体製造プロセスにおいて欠かすことができません。
東京電子工業は、パターン付き材料の高精度切断、厚みのあるセラミックスの高精度加工を実現。切断時のカケやクラックを無くし、表面のバリを抑制するなど、お客様の高度なご要望に対し、妥協のない仕上がりでお応えいたします。
他社では対応できなかった複雑な形状でも、ぜひご相談ください。

SiC（炭化ケイ素）ウエハーの切断加工

太陽光発電システムのパワーコンディショナーや電気自動車（EV）のインバーターなどへの採用が進むSiC（炭化ケイ素）パワーデバイス。半導体としての特性は優れるものの、非常に硬く、品質よく加工を行う技術が必要になります。
弊社ではダイヤモンドブレードを使用したダイシングマシンによる、SiCウエハーの切断加工技術を持ち合わせております。
サンプルは、Φ101.6mm×厚み0.35mm⇒□20mmへの切断加工品になります。
チッピング10μm以内で加工し、高い品質でご提供させていただいております。

Si3N4（窒化ケイ素）基板の切断加工

耐熱衝撃抵抗性に優れ、溶融金属に比較的濡れ難い性質を持っています。これらの特性を利用して自動車のエンジン部品などの内燃機関部品や溶接機のトーチノズルなど、特に熱のかかる過酷な環境で使用される部品に活用されています。
また、厚板Cuを接合して抵抗値を下げることができ、パワー半導体モジュールの絶縁基板として利用されています。
高い耐摩耗性という特徴から加工を行うには高い技術が必要になります。
弊社では95×70×0.92t(Cu/Si3N4/Cu=300/320/300μm)⇒15.6×19.6、31.6×39.6の2つの製品を取り出しました。
チッピング10μm以下と高い品質で加工が実現できます。

高精度溝の加工技術

平面研削盤により、セラミックの材料に幅15mm、長さ75mm、深さ1mmの溝加工（ザグリ加工）を行いました。
溝底部に配置する部品の位置精度を高める為、溝深の精度、形状を品位良く加工を行う技術を持ち合わせております。
深さの加工精度は±0.02㎜、溝部隅Rは0.1㎜以下で加工が可能です。

「割れやすく、汚れやすい」ガラスの加工

割れやすく汚れやすいガラスを 厚みを問わず加工可能です。
ガラスは、「割れやすく、汚れやすい」素材で、セラミックス同様に加工が難しいといわれています。
当社は、石英や水晶、その他ガラス加工を得意とし、ガラスの加工、ガラスパイプや貼り合わせガラスの加工、クリーンな状態での納品など、お客様の多種多様なご要望に対して細やか、かつスピーディーにご対応させていただきます。

「硬くて脆い素材」セラミックスの加工

セラミックスは、「硬くて脆い素材」の代表的な難素材。素材としては、強度や耐熱性能に優れ、耐食性が高く、半導体製造プロセスにおいて欠かすことができません。
東京電子工業は、パターン付き材料の高精度切断、厚みのあるセラミックスの高精度加工を実現。切断時のカケやクラックを無くし、表面のバリを抑制するなど、お客様の高度なご要望に対し、妥協のない仕上がりでお応えいたします。
他社では対応できなかった複雑な形状でも、ぜひご相談ください。

SiC（炭化ケイ素）ウエハーの切断加工

太陽光発電システムのパワーコンディショナーや電気自動車（EV）のインバーターなどへの採用が進むSiC（炭化ケイ素）パワーデバイス。半導体としての特性は優れるものの、非常に硬く、品質よく加工を行う技術が必要になります。
弊社ではダイヤモンドブレードを使用したダイシングマシンによる、SiCウエハーの切断加工技術を持ち合わせております。
サンプルは、Φ101.6mm×厚み0.35mm⇒□20mmへの切断加工品になります。
チッピング10μm以内で加工し、高い品質でご提供させていただいております。

Si3N4（窒化ケイ素）基板の切断加工

耐熱衝撃抵抗性に優れ、溶融金属に比較的濡れ難い性質を持っています。これらの特性を利用して自動車のエンジン部品などの内燃機関部品や溶接機のトーチノズルなど、特に熱のかかる過酷な環境で使用される部品に活用されています。
また、厚板Cuを接合して抵抗値を下げることができ、パワー半導体モジュールの絶縁基板として利用されています。
高い耐摩耗性という特徴から加工を行うには高い技術が必要になります。
弊社では95×70×0.92t(Cu/Si3N4/Cu=300/320/300μm)⇒15.6×19.6、31.6×39.6の2つの製品を取り出しました。
チッピング10μm以下と高い品質で加工が実現できます。

高精度溝の加工技術

平面研削盤により、セラミックの材料に幅15mm、長さ75mm、深さ1mmの溝加工（ザグリ加工）を行いました。
溝底部に配置する部品の位置精度を高める為、溝深の精度、形状を品位良く加工を行う技術を持ち合わせております。
深さの加工精度は±0.02㎜、溝部隅Rは0.1㎜以下で加工が可能です。