【QCWレーザ】高繰返しパルスレーザ

QCWレーザは266 nmで高出力を要する産業用途に好適な光源です。100MHzの高いパルス繰返し周波数でピークパワーを低く抑えているため、CWレーザよりも高出力でありながら、用途によってはCWレーザの代わりにお使い頂けるのが特長です。現在、平均出力3Wまでの商品がございます。

【FL-PLシリーズ】　Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。

【Frequadシリーズ】深紫外単一周波数レ－ザ

Frequadシリーズは、学術用途から産業用途までお使い頂けるCW DUVレーザ光源です。長年に渡り培った共振サーボ技術と、自社で育成する
最高品質の結晶を採用し、安定で長寿命のCW動作が可能です。この度、266 nm Frequadシリーズに波長変換レーザ213nmを発生するFrequad-Wを新たにラインナップに追加しました。ご要望に合わせて、さまざまな波長をご提案いたします。

【FL-CWシリーズ】定偏波CWファイバレーザ

320 ccの小型パッケージで、低コストなOEMモジュールタイプのPMファイバレーザです。最大20 Wで10‐100%の出力可変となっており、半田溶接や波長変換、光ピンセット、ライダーに適しています。標準波長は1064 nmとなりますが、1040 ~ 1090 nm の範囲でカスタマイズ可能です。OEMモジュールタイプだけでなく、電源と一体となり、スタンドアローンで動作可能となったフルバージョンタイプもございます。

CLBO(CsLiB6O10)単結晶 (セシウムリチウムボレート)

CLBOは、UV波長域発生用に適した波長変換結晶です。266nmでの光損傷閾値が石英ガラスの1.7倍以上の高く、非線形光学定数もd36　@　532nm=0.92pm/Vと比較的大きいためハイパワーのＵＶ発生用途で用いられています。
BBOと比較して、ウォークオフが小さいため、高い変換効率を得やすく、透過域も180～2750nmと広く、特にDUVにおいて優位です。

Raicol社製　非線形デバイス　(PPKTP, KTP, LBO, BBO)

Raicol社ではPPKTPをはじめ、KTP, LBO, BBOなど、非線形波長変換デバイスを提供しております。PPKTPは近年量子光学の分野で大変注目されており、量子暗号通信、量子イメージングなどの分野で多く用いら手れおります。LBO, BBO, KTPなど、紫外から中赤外までカバーする波長変換材料も取り揃えております。

Raicol社製　電気光学デバイス　(RTP)

KTPと同じ結晶系に属するRTP結晶は、高いダメージスレショルドを有し、医療、産業、防衛など様々な分野において高出力レーザの用途に用いる電気光学結晶として利用されております。さらに温度変化に対する特性が安定で、-50℃から70℃まで動作可能なため、極地や宇宙などでも利用されています。

PPMgSLT 導波路

フェムト秒レーザ直描によりデバイス内部に導波路構造を作製した波長変換デバイスです。
リッジ導波路で必要なパターニング等は必要とせず、Lasea社製fsレーザ加工機により加工位置精度＜0.1ミクロンで導波路のクラッド部を結晶内部に加工でき生産性にも優れます。さらに真円に近い導波路構造が可能で、かつMg:SLTが持つ高い出力耐性を維持しつつ、高い変換効率を両立した波長変換を実現しました。新しい波長変換デバイスがレーザの小型化・低消費電力化への道を切り開きます。（本開発品の一部はNEDOの研究事業の支援を受けて行われたものです。）

THz発生用MgSLNプリズム

Mg:SLNは高い波長変換効率を有し、内部欠陥の少ないnear-stoichiometric組成のためTHzでの吸収が小さい特長があり、プリズム構造により簡便に広帯域のTHz発生を実現することが可能です。サイズは、平均パワーの低いfsパルス用のType 1、残留入射光をプリズム外部に放出可能なType 2、高エネルギーのパルス対応のため大口径（～20mm）を有するType 3の3種類を標準品としてそろえております。

PP-LBGOデバイス

誘電体LaBGeO5 を用いた新しいQPMデバイスです。200nm以下まで透過し、潮解性がなく、変換光のビーム変形もありません。特別な環境管理をすることなく高品質な紫外光発生が可能です。

LB4(Li2B4O7)単結晶 (リチウムテトラボレート)

LB4(リチウムテトラボレート:四ホウ酸リチウム)単結晶は深紫外線で高い透過率を有します。オキサイドのLB4はブリッジマン法で育成され、直径φ84nmと大きなサイズです。複屈折が大きな材料で、大口径、広帯域を有する偏光素子に適しています。

SAM基板（GaNエピタキシャル成長用基板）

オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。（FWHM:20～50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果）

レーザー励起用蛍光体EPOCH-Neo

新しく青色レーザー励起用に開発されたEPOCH-NeoはCe:YAG黄色発光蛍光体と熱伝導率の高いサファイアで出来た融液成長複合材料です。この二つの材料間にはバインダー、空気ギャップ、界面の層などが無く、連続的に絡まっており、青色励起光によって発光した黄色光は効率よく前面に取り出され、ストークスロスや非輻射遷移によって発生した熱はサファイアに沿って排熱されます。

【QCWレーザ】高繰返しパルスレーザ

QCWレーザは266 nmで高出力を要する産業用途に好適な光源です。100MHzの高いパルス繰返し周波数でピークパワーを低く抑えているため、CWレーザよりも高出力でありながら、用途によってはCWレーザの代わりにお使い頂けるのが特長です。現在、平均出力3Wまでの商品がございます。

【FL-PLシリーズ】　Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。

【Frequadシリーズ】深紫外単一周波数レ－ザ

Frequadシリーズは、学術用途から産業用途までお使い頂けるCW DUVレーザ光源です。長年に渡り培った共振サーボ技術と、自社で育成する
最高品質の結晶を採用し、安定で長寿命のCW動作が可能です。この度、266 nm Frequadシリーズに波長変換レーザ213nmを発生するFrequad-Wを新たにラインナップに追加しました。ご要望に合わせて、さまざまな波長をご提案いたします。

【FL-CWシリーズ】定偏波CWファイバレーザ

320 ccの小型パッケージで、低コストなOEMモジュールタイプのPMファイバレーザです。最大20 Wで10‐100%の出力可変となっており、半田溶接や波長変換、光ピンセット、ライダーに適しています。標準波長は1064 nmとなりますが、1040 ~ 1090 nm の範囲でカスタマイズ可能です。OEMモジュールタイプだけでなく、電源と一体となり、スタンドアローンで動作可能となったフルバージョンタイプもございます。

CLBO(CsLiB6O10)単結晶 (セシウムリチウムボレート)

CLBOは、UV波長域発生用に適した波長変換結晶です。266nmでの光損傷閾値が石英ガラスの1.7倍以上の高く、非線形光学定数もd36　@　532nm=0.92pm/Vと比較的大きいためハイパワーのＵＶ発生用途で用いられています。
BBOと比較して、ウォークオフが小さいため、高い変換効率を得やすく、透過域も180～2750nmと広く、特にDUVにおいて優位です。

Raicol社製　非線形デバイス　(PPKTP, KTP, LBO, BBO)

Raicol社ではPPKTPをはじめ、KTP, LBO, BBOなど、非線形波長変換デバイスを提供しております。PPKTPは近年量子光学の分野で大変注目されており、量子暗号通信、量子イメージングなどの分野で多く用いら手れおります。LBO, BBO, KTPなど、紫外から中赤外までカバーする波長変換材料も取り揃えております。

Raicol社製　電気光学デバイス　(RTP)

KTPと同じ結晶系に属するRTP結晶は、高いダメージスレショルドを有し、医療、産業、防衛など様々な分野において高出力レーザの用途に用いる電気光学結晶として利用されております。さらに温度変化に対する特性が安定で、-50℃から70℃まで動作可能なため、極地や宇宙などでも利用されています。

PPMgSLT 導波路

フェムト秒レーザ直描によりデバイス内部に導波路構造を作製した波長変換デバイスです。
リッジ導波路で必要なパターニング等は必要とせず、Lasea社製fsレーザ加工機により加工位置精度＜0.1ミクロンで導波路のクラッド部を結晶内部に加工でき生産性にも優れます。さらに真円に近い導波路構造が可能で、かつMg:SLTが持つ高い出力耐性を維持しつつ、高い変換効率を両立した波長変換を実現しました。新しい波長変換デバイスがレーザの小型化・低消費電力化への道を切り開きます。（本開発品の一部はNEDOの研究事業の支援を受けて行われたものです。）

THz発生用MgSLNプリズム

Mg:SLNは高い波長変換効率を有し、内部欠陥の少ないnear-stoichiometric組成のためTHzでの吸収が小さい特長があり、プリズム構造により簡便に広帯域のTHz発生を実現することが可能です。サイズは、平均パワーの低いfsパルス用のType 1、残留入射光をプリズム外部に放出可能なType 2、高エネルギーのパルス対応のため大口径（～20mm）を有するType 3の3種類を標準品としてそろえております。

PP-LBGOデバイス

誘電体LaBGeO5 を用いた新しいQPMデバイスです。200nm以下まで透過し、潮解性がなく、変換光のビーム変形もありません。特別な環境管理をすることなく高品質な紫外光発生が可能です。

LB4(Li2B4O7)単結晶 (リチウムテトラボレート)

LB4(リチウムテトラボレート:四ホウ酸リチウム)単結晶は深紫外線で高い透過率を有します。オキサイドのLB4はブリッジマン法で育成され、直径φ84nmと大きなサイズです。複屈折が大きな材料で、大口径、広帯域を有する偏光素子に適しています。

SAM基板（GaNエピタキシャル成長用基板）

オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。（FWHM:20～50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果）

レーザー励起用蛍光体EPOCH-Neo

新しく青色レーザー励起用に開発されたEPOCH-NeoはCe:YAG黄色発光蛍光体と熱伝導率の高いサファイアで出来た融液成長複合材料です。この二つの材料間にはバインダー、空気ギャップ、界面の層などが無く、連続的に絡まっており、青色励起光によって発光した黄色光は効率よく前面に取り出され、ストークスロスや非輻射遷移によって発生した熱はサファイアに沿って排熱されます。