レーザー励起用蛍光体EPOCH-Neo

新しく青色レーザー励起用に開発されたEPOCH-NeoはCe:YAG黄色発光蛍光体と熱伝導率の高いサファイアで出来た融液成長複合材料です。この二つの材料間にはバインダー、空気ギャップ、界面の層などが無く、連続的に絡まっており、青色励起光によって発光した黄色光は効率よく前面に取り出され、ストークスロスや非輻射遷移によって発生した熱はサファイアに沿って排熱されます。

SAM基板（GaNエピタキシャル成長用基板）

オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。（FWHM:20～50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果）

FL-PLシリーズ　Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。

レーザー励起用蛍光体EPOCH-Neo

新しく青色レーザー励起用に開発されたEPOCH-NeoはCe:YAG黄色発光蛍光体と熱伝導率の高いサファイアで出来た融液成長複合材料です。この二つの材料間にはバインダー、空気ギャップ、界面の層などが無く、連続的に絡まっており、青色励起光によって発光した黄色光は効率よく前面に取り出され、ストークスロスや非輻射遷移によって発生した熱はサファイアに沿って排熱されます。

SAM基板（GaNエピタキシャル成長用基板）

オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。（FWHM:20～50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果）

FL-PLシリーズ　Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。