レーザーEXPO J-01

(株)オキサイド
  • 出展のみどころ

    DUV 波長領域に向けに自社製非線形結晶を使用したレーザ Frequadシリーズ(CW 266nm, 213nm)と各種結晶・デバイス を展示します。
    研究開発から産業用途まで、これまで培った技術と経験を基にお客様に確かな品質の製品をお届けいたします。

  • Frequadシリーズ/深紫外単一周波数レ-ザ

    Frequadシリーズは、学術用途から産業用途までお使い頂けるCW DUVレーザ光源です。長年に渡り培った共振サーボ技術と、自社で育成する
    最高品質の結晶を採用し、安定で長寿命のCW動作が可能です。この度、266 nm Frequadシリーズに波長変換レーザ213nmを発生するFrequad-Wを新たにラインナップに追加しました。ご要望に合わせて、さまざまな波長をご提案いたします。

  • FL-PLシリーズ Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

    ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
    変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。

  • LASEA社製フェムト秒レーザ加工装置

    ベルギーのLASEA社製フェムト秒レーザ加工装置は切断、穴あけ、テクスチャリング、彫刻、マーキング、溶接、薄層除去などの高精度レーザー微細加工を可能にするマイクロマシンシステムです。オキサイドは日本国内のお客様へ同社のレーザ加工装置導入の窓口およびサポートを開始いたしました。

  • PPMgSLT 導波路

    フェムト秒レーザ直描によりデバイス内部に導波路構造を作製した波長変換デバイスです。
    リッジ導波路で必要なパターニング等は必要とせず、Lasea社製fsレーザ加工機により加工位置精度<0.1ミクロンで導波路のクラッド部を結晶内部に加工でき生産性にも優れます。さらに真円に近い導波路構造が可能で、かつMg:SLTが持つ高い出力耐性を維持しつつ、高い変換効率を両立した波長変換を実現しました。新しい波長変換デバイスがレーザの小型化・低消費電力化への道を切り開きます。(本開発品の一部はNEDOの研究事業の支援を受けて行われたものです。)

  • CLBO(CsLiB6O10)単結晶 (セシウムリチウムボレート)

    CLBOは、UV波長域発生用に適した波長変換結晶です。266nmでの光損傷閾値が石英ガラスの1.7倍以上の高く、非線形光学定数もd36 @ 532nm=0.92pm/Vと比較的大きいためハイパワーのUV発生用途で用いられています。
    BBOと比較して、ウォークオフが小さいため、高い変換効率を得やすく、透過域も180~2750nmと広く、特にDUVにおいて優位です。

  • BBO単結晶

    BBOは紫外域まで非常に高い透過率を保ち、非線形定数も大きく、光損傷閾値も高く化学的および機械的にも優れた波長変換材料です。BBO結晶は広いスペクトル範囲(190~1780nm) で位相整合をとることができ、例えば1064nmの高調波(第2~5次高調波)に変換することができます。
    BBO結晶をOPOやOPAで用いれば、紫外から赤外まで波長可変なコヒーレント光を発生させることが可能です。

  • LB4(Li2B4O7)単結晶 (リチウムテトラボレート)

    LB4(リチウムテトラボレート:四ホウ酸リチウム)単結晶は深紫外線で高い透過率を有します。オキサイドのLB4はブリッジマン法で育成され、直径φ84nmと大きなサイズです。複屈折が大きな材料で、大口径、広帯域を有する偏光素子に適しています。

  • THz発生用MgSLNプリズム

    Mg:SLNは高い波長変換効率を有し、内部欠陥の少ないnear-stoichiometric組成のためTHzでの吸収が小さい特長があり、プリズム構造により簡便に広帯域のTHz発生を実現することが可能です。サイズは、平均パワーの低いfsパルス用のType 1、残留入射光をプリズム外部に放出可能なType 2、高エネルギーのパルス対応のため大口径(~20mm)を有するType 3の3種類を標準品としてそろえております。

  • SAM基板(GaNエピタキシャル成長用基板)

    オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
    従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。(FWHM:20~50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果)

(株)オキサイド

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山梨県北杜市武川町牧原1747-1
ウェブサイトURL
https://www.opt-oxide.com
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