オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。(FWHM:20~50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果)
オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。(FWHM:20~50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果)