KPR-S6　SWIRタイプ反射センサー

1300～1650nmの光源と受光部の1パッケージ化を実現！
1つのパッケージに発光素子であるLEDチップと受光素子であるフォトダイオードチップが隣り合って実装されており、センシング対象物に本製品を向けて光の反射を利用してセンシングを行う反射型のフォトセンサーです。

GaNタイプUVセンサー

フィルターレスで3倍※の高感度、UV-B UV-Cに限定した波長域を実現！※弊社Si UVセンサーとの比較　
紫外線の特定の波長域に感度を持つGaNを採用することでフィルターを使用せず直接センサーの受光部で受光することが可能となりました。

ハイパワー光給電コンバータ

光ファイバー1本で数㎞先まで電力供給！
レーザー光をファイバーを介して電力に変換します。
従来モデルに対し１.高出力化　２.レセプタクル化　を実現しました。

KPR-S6　SWIRタイプ反射センサー

1300～1650nmの光源と受光部の1パッケージ化を実現！
1つのパッケージに発光素子であるLEDチップと受光素子であるフォトダイオードチップが隣り合って実装されており、センシング対象物に本製品を向けて光の反射を利用してセンシングを行う反射型のフォトセンサーです。

GaNタイプUVセンサー

フィルターレスで3倍※の高感度、UV-B UV-Cに限定した波長域を実現！※弊社Si UVセンサーとの比較　
紫外線の特定の波長域に感度を持つGaNを採用することでフィルターを使用せず直接センサーの受光部で受光することが可能となりました。

ハイパワー光給電コンバータ

光ファイバー1本で数㎞先まで電力供給！
レーザー光をファイバーを介して電力に変換します。
従来モデルに対し１.高出力化　２.レセプタクル化　を実現しました。