波長可変半導体レーザ λ-Master 1040

独自構造で高スペクトル純度（ASE-Free）化した、高出力・広帯域の波長可変半導体レーザです。モデルチチェンジにより100nmを超える波長可変域全域でのモードホップフリー同調と、100mWレベルのファイバー端出力を実現しました。また、λ-Master 1040に加えて、λ-Master 950、λ-Master 900、λ-Master 1060、λ-Master 1100をラインアップ化し対応できる波長領域を拡大しました。

半導体光増幅器 λ-Amp Impulse

１μｍ帯で100nmの広帯域にわたり~1Wの光増幅出力が得られます。色収差補正光学系の採用により、利得域ほぼ全域で500mW程度のファイバー端出力を得ることができます。

900nm 帯ファイバーアンプ

900nmで初めてのファイバーアンプの製品です。
・ゲイン帯域（>30dB）：　900~930nm
・飽和出力：　200mW
・PM Fiber Output （EPR: >20dB)
・オプションでパルス圧縮機能を追加できます

900nm帯ナノ秒波長可変ファイバーレーザー

900nm帯ファイバーアンプと半導体レーザを組み合わせ、一体実装の波長可変ナノ秒パルスレーザを製品化しました。
波長同調域： 900～925nm
発振線幅： < 0.2nm
飽和平均パワー： 100mW
ピークパワー： 100W
パルス幅： 1~10ns ( Optional ps Model )
パルス発生：up to 100MHz, (内部発振or外部トリガー)
ASE抑制：> 50dB
偏波保存出力： PER >20dB

1μm帯ナノ秒波長可変ファイバーレーザ

1umファイバーアンプと半導体レーザを組み合わせ、一体実装のナノ秒波長可変レーザを製品化しました。
波長同調域：　1010nm~1050nm
発振線幅：　< 0.2nm
飽和平均パワー：　100mW
ピークパワー：　100W
パルス幅：　1-10ns ( ps オプション )
パルス発生：　upto 100MHz
ASE 抑制：　>50dB
偏波保存出力：PER:>20dB

波長可変半導体レーザ λ-Master 1040

独自構造で高スペクトル純度（ASE-Free）化した、高出力・広帯域の波長可変半導体レーザです。モデルチチェンジにより100nmを超える波長可変域全域でのモードホップフリー同調と、100mWレベルのファイバー端出力を実現しました。また、λ-Master 1040に加えて、λ-Master 950、λ-Master 900、λ-Master 1060、λ-Master 1100をラインアップ化し対応できる波長領域を拡大しました。

半導体光増幅器 λ-Amp Impulse

１μｍ帯で100nmの広帯域にわたり~1Wの光増幅出力が得られます。色収差補正光学系の採用により、利得域ほぼ全域で500mW程度のファイバー端出力を得ることができます。

900nm 帯ファイバーアンプ

900nmで初めてのファイバーアンプの製品です。
・ゲイン帯域（>30dB）：　900~930nm
・飽和出力：　200mW
・PM Fiber Output （EPR: >20dB)
・オプションでパルス圧縮機能を追加できます

900nm帯ナノ秒波長可変ファイバーレーザー

900nm帯ファイバーアンプと半導体レーザを組み合わせ、一体実装の波長可変ナノ秒パルスレーザを製品化しました。
波長同調域： 900～925nm
発振線幅： < 0.2nm
飽和平均パワー： 100mW
ピークパワー： 100W
パルス幅： 1~10ns ( Optional ps Model )
パルス発生：up to 100MHz, (内部発振or外部トリガー)
ASE抑制：> 50dB
偏波保存出力： PER >20dB

1μm帯ナノ秒波長可変ファイバーレーザ

1umファイバーアンプと半導体レーザを組み合わせ、一体実装のナノ秒波長可変レーザを製品化しました。
波長同調域：　1010nm~1050nm
発振線幅：　< 0.2nm
飽和平均パワー：　100mW
ピークパワー：　100W
パルス幅：　1-10ns ( ps オプション )
パルス発生：　upto 100MHz
ASE 抑制：　>50dB
偏波保存出力：PER:>20dB