EPOCH

EPOCHは、結晶タイプの蛍光体材料です。従来の材料に比べ高い熱伝導率、優れたパワー耐性などの優位性があります。青色光を吸収して黄色光を発光します。そのため、高輝度白色光源用途には最適な材料です。

SAM基板（GaNエピタキシャル成長用基板）

オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。（FWHM:20～50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果）

FL-PLシリーズ　Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。

EPOCH

EPOCHは、結晶タイプの蛍光体材料です。従来の材料に比べ高い熱伝導率、優れたパワー耐性などの優位性があります。青色光を吸収して黄色光を発光します。そのため、高輝度白色光源用途には最適な材料です。

SAM基板（GaNエピタキシャル成長用基板）

オキサイドではGaN、InGaN成長用基板としてScAlMgO4(SAM)基板を発表しました。
従来のサファイア基板と比較し、格子不整合(1.8% vs GaN)および熱伝導率差が小さく(0.6 x 10-6 K-1 : vs GaN)、GaN、InGaNをSAM基板上に成長させることで可視光LEDの発光効率改善、エピ基板結晶の品質の向上が期待できます。（FWHM:20～50arcsec達成。SAM基板上へ成長させたGaN自立基板。当社測定結果）

FL-PLシリーズ　Green/UVナノ秒ポータブルレーザ

ファイバレーザを基本波光源とした、可搬、高ピークパワー、高繰返しの波長変換レーザです。水中/大気のセンシング(ライダー)、紫外線殺菌/ウイルス不活性化用途などに適しています。
変換器ヘッドの付替により波長選択、多波長同時出射も可能です。